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乔治亚理工大学余诗孟教授受邀中科大微电子学院作学术前沿报告
作者:赵锐 来源:中国科大微电子学院 阅读次数:1170 日期:2018-04-04
  

  2019326日(ri),周二下(xia)午4, 来自美国乔治亚理工(gong)大(da)学的(de)余诗孟教授远道而来,赴中(zhong)科大(da)微电子学院北(bei)区会议中(zhong)心(融合楼2楼),为(wei)学院(yuan)的师生们作(zuo)了题为(wei)Neuro-Inspired Computing with Synaptic and Neuronal Devices的(de)学术报(bao)告(gao)。此次报(bao)告(gao)是为研(yan)究生高水平学术前沿讲座,由微电子学院(yuan)的(de)孙海定教授主(zhu)持(chi)。

    孙(sun)海定教(jiao)授(shou)首(shou)先对(dui)余教(jiao)授(shou)做了(le)简(jian)短的介(jie)绍,让大家对(dui)余教(jiao)授(shou)的学术科研经历和(he)主要工(gong)作内容(rong)有了(le)基(ji)本的了(le)解。余诗孟教(jiao)授(shou)于(yu)2009年获(huo)得(de)北京大学微电子学学士学位,于 2011年和(he)2013年获得(de)美(mei)国斯坦福大学电气(qi)工(gong)程(cheng)硕士(shi)和博士(shi)学位。他目前是美(mei)国乔(qiao)治亚理工(gong)大学电气(qi)工(gong)程(cheng)与(yu)计算(suan)机(ji)工(gong)程(cheng)系的AssociateProfessor

    余教授主要(yao)研究(jiu)(jiu)新兴的(de)纳米器件和电路设计,研究(jiu)(jiu)范围包括机器/深度学习(xi),神(shen)经形(xing)态计算,三维芯片集(ji)成,硬件安(an)全,器件和电路(lu)抗辐射性能等。他的(de)课题组在这些领域发表(biao)了(le)超过(guo)60篇期刊论文(wen)和100篇(pian)会议论文,包括20余篇IEEE国(guo)际电子器件会议(IEDM)以(yi)及最近接(jie)受的IEEE固态电(dian)路会议(ISSCC)。


  介绍(shao)(shao)完毕后,在(zai)座的(de)(de)(de)(de)师生们(men)对余教授有(you)了(le)初步(bu)的(de)(de)(de)(de)认识,报(bao)告会正式开(kai)始。报(bao)告主要(yao)(yao)介绍(shao)(shao)了(le)用(yong)于(yu)类脑计(ji)算的(de)(de)(de)(de)神经元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)(de)(de)(de)基本原理(li)和常见(jian)结构,以及(ji)余教授课题组的(de)(de)(de)(de)主要(yao)(yao)工作和重要(yao)(yao)进展。类脑计(ji)算是一个新时代的(de)(de)(de)(de)概念(nian),它可(ke)以用(yong)于(yu)模(mo)拟神经网络(luo)的(de)(de)(de)(de)信息处理(li)。为(wei)了(le)实现大规模(mo)的(de)(de)(de)(de)神经网络(luo)系统,研究开(kai)发紧凑的(de)(de)(de)(de)纳米级(ji)器(qi)件(jian)来实现突触和神经元(yuan)的(de)(de)(de)(de)功能就显得极为(wei)重要(yao)(yao)。报(bao)告首先介绍(shao)(shao)了(le)新兴非易失(shi)性存储器(qi)(eNVM)的概念,并(bing)列举了相(xiang)关研究实例,分析了该类(lei)存储器原型芯(xin)片的发展趋(qu)势。在大家兴(xing)趣盎然(ran)之(zhi)时,余教授正(zheng)式开始(shi)讲(jiang)解(jie)神(shen)经(jing)突触器件以及神(shen)经(jing)网络(luo)算法(fa),报告会(hui)已经(jing)逐渐切入(ru)正(zheng)题。

  在阐明了多阻态(tai)器件的基本原理和发展历程之后,余教(jiao)授向大家(jia)叙述了offline-training  online-training 的(de)概念差异以(yi)及不同的(de)适用情况,辅(fu)以(yi)有说服(fu)力的(de)论(lun)文文献材(cai)料,图文并茂。接着,余教授(shou)主讲近年来自己和其他业内专家(jia)(jia)的(de)科研进展,为(wei)大家(jia)(jia)呈现了几种典(dian)型(xing)的(de)器件结构和阵列,例如(ru)ADC神经元电路、阈值开关振荡电路以及铁(tie)电质晶体(ti)管等(deng)等(deng)。在向(xiang)大家展示了(le)其中(zhong)若干器件的电学表征曲线以及适用于(yu)神经元计算(suan)的特(te)征性能对比之后,余(yu)教授的报告进入(ru)了(le)尾(wei)声,他为大家作了(le)简短(duan)的总结,并对神经突触器件进行了(le)积极乐观(guan)的展望(wang)。


                    图为微电子(zi)学院的(de)师生(sheng)正(zheng)在听讲(jiang),以及作报告的(de)余诗孟教授

报告结束(shu)后,余教(jiao)授(shou)与在座的(de)(de)师生们(men)进行(xing)了二(er)十分钟的(de)(de)答(da)疑以及交流(liu)讨论环节。老师同(tong)学们(men)的(de)(de)气(qi)氛甚是活跃,很多同(tong)学都有自(zi)己(ji)的(de)(de)想法和疑问,余教(jiao)授(shou)也乐于耐心解答(da),并(bing)传授(shou)了自(zi)己(ji)的(de)(de)经(jing)验,细致而充分的(de)(de)交流(liu)又拓宽了师生们(men)的(de)(de)知(zhi)识触(chu)面和学术眼(yan)界。

最后,余教授(shou)与部分师生合影,为这(zhei)次的(de)高(gao)水平学术报告一(yi)个画上(shang)了完美的(de)句号(hao)。

结语: 研究(jiu)生(sheng)高水平(ping)学(xue)术前沿讲座会不定期举行,请广大(da)感兴趣的本科生(sheng)、研究(jiu)生(sheng)密(mi)切关注研究(jiu)生(sheng)信息平(ping)台发布的学(xue)术报告信息,珍惜机会,积极参加(jia)。





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